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三星和SK海力士结盟 为下一代内存芯片定标准

来源:www.pc899.com时间:2016-06-23阅读:手机版

三星电子和SK海力士准备结盟,一起为下一代内存芯片制定标准,因为英特尔与美光已经联合在一起,对两家企业构成了威胁。

很久以来,全球内存芯片市场就被三星和SK海力士主导,因为它们交货准时、产能有保障、价格更便宜。另外,和逻辑芯片相比,制造内存芯片更加容易。

英特尔是全球最大的半导体生产商,它掌握了制程和CPU标准。现在英特尔准备在高端内存芯片市场提升地位。很显然,英特尔的新战略将会威胁三星和SK海力士。例如,英特尔与美光合作推广3D XPoint,它是一种变种芯片,新芯片将DARM和NAND闪存芯片的优势结合在一起,可以扩大芯片的数据存储容量,提高能耗效率。

三星表示,公司“密切关注”英特尔在3D XPoint方面的动作。一位三星内部人士称:“3D XPoint可能会成为真正的威胁,但到目前为止,我们考虑用不同的产品在内存芯片市场上与英特尔对抗。如果有必要,三星会与SK海力士结盟。但到目前为止还没有任何具体的讨论。”三星内部人士还说,开发更薄的DARM技术已经越来越困难,三星电子在下一代内存芯片的研发上扩大了开支,比如MPAM和PRAM。

SK海力士是世界第二大内存芯片制造商,它希望能与三星结盟,合作制定新的国际标准,与英特尔美光联盟对抗。SK海力士DARM技术主管Kim Jin-kook在产业论坛上表示,他们很担心3D XPoint所带来的影响,因为该技术拥有一些优势,可以吸引系统和企业存储应用方面的客户。

谈到SK海力士自己的DMS(Managed DRAM Solution)技术时,Kim Jin-kook表示,SK计划向JEDEC(一个国际委员会,有权批准新标准)提交方案,推动MDS成为下一代内存芯片的候选,与3D XPoint抗衡。最快从2018年开始,SK海力士就会将MDS技术用在商用芯片上。

产业人士认为,SK海力士的计划如果要变成现实,必须获得三星的支持,但是三星不太可能追随SK的步伐,因为MDS技术并不是三星发起的。

Kim Jin-kook表示,MDS技术拥有非易失性(当电流关掉后,所存储的数据不会消失)增强型数据存储能力,它的成本效益更高。

通过3D XPoint技术,英特尔打算推动非易失性双排直插内存模组(NVDIMM)的发展。NVDIMM服务器内存将DARM和NAND整合在一个内存模组上,它同时具备DRAM的性能和NAND的持久性。

一旦出现功率耗损,NVDIMM会将所有的DRAM数据存储到NAND中,用后备电源存储。NVDIMM中的DRAM可以确保关键数据在低延迟内存空间中运行,不会丢失。供电中断时,模组中的NAND能够防止DARM内容丢失,从而保证DRAM的持久稳定。当系统供电恢复,NAND中的数据也会恢复到DRAM中。

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